半导体装置的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02143119.1
IPC分类号：--
申请日期：
2002-09-13
申请人：
精工爱普生株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体装置的制造方法
申请号	CN02143119.1	申请日期	2002-09-13
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-03-26	公开/公告号	CN1405880
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	精工爱普生株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	精工爱普生株式会社	当前权利人	精工爱普生株式会社
发明人	虾名昭彦;井上晋
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汪惠民

摘要

一种半导体装置的制造方法，在同一基板上形成包括存储单元的存储器区域和包括外围电路等的逻辑电路区域，包括：不对逻辑电路区域内的阻挡层和第1导电层进行模样化、而对存储器区域内的阻挡层和第1导电层的指定区域进行模样化的工序、至少在存储器区域内的第1导电层的两侧面上形成侧壁状的控制栅的工序、将逻辑电路区域内的第1导电层模样化后形成MOS晶体管的栅极电极的工序、让非易失性存储装置以及MOS晶体管的栅极电极、源极区域以及漏极区域的表面硅化的工序、在形成第2绝缘层之后、让存储器区域的阻挡层露出并且不让逻辑电路区域内的栅极电极露出地对第2绝缘层进行研磨的工序。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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