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包含基于掺杂了三价元素的二氧化硅的微孔二氧化硅层的气体分离膜

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200680052464.0
  • IPC分类号:B01D71/02;B01D53/22
  • 申请日期:
    2006-12-22
  • 申请人:
    阿海珐核能公司;国家科研中心
著录项信息
专利名称包含基于掺杂了三价元素的二氧化硅的微孔二氧化硅层的气体分离膜
申请号CN200680052464.0申请日期2006-12-22
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2009-12-30公开/公告号CN101616726
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B01D71/02IPC分类号B;0;1;D;7;1;/;0;2;;;B;0;1;D;5;3;/;2;2查看分类表>
申请人阿海珐核能公司;国家科研中心申请人地址
法国库伯瓦 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人阿海珐核能公司,国家科研中心当前权利人阿海珐核能公司,国家科研中心
发明人A·朱尔比;D·考特;B·萨拉;C·伯尔博尤
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人张力更
摘要
本发明涉及气体分离膜的制备方法,包括二氧化硅溶胶薄膜在多孔载体上的沉积,然后对如此沉积的薄膜进行热处理,其中沉积的二氧化硅溶胶是在掺杂量的三价元素氧化物的前体的存在下,对硅醇盐进行水解而制得的,所述三价元素尤其为硼或铝。本发明还涉及根据此方法制备的膜及其用途,特别是用于在高温下分离氦气或氢气,尤其是用于除去氦气流中的杂质。

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