非晶态CrSiCN涂层及其制备方法、应用、导电膜和电子设备

发明专利有效专利

申请号：
CN202010567004.3
IPC分类号：C23C14/34;C23C14/06;C23C14/54;C23C14/02;C23C14/18;A61B5/0245;A61B5/04
申请日期：
2020-06-19
申请人：
维达力实业（深圳）有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	非晶态CrSiCN涂层及其制备方法、应用、导电膜和电子设备
申请号	CN202010567004.3	申请日期	2020-06-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-30	公开/公告号	CN111850486A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;C;2;3;C;1;4;/;0;6;;;C;2;3;C;1;4;/;5;4;;;C;2;3;C;1;4;/;0;2;;;C;2;3;C;1;4;/;1;8;;;A;6;1;B;5;/;0;2;4;5;;;A;6;1;B;5;/;0;4查看分类表>
申请人	维达力实业（深圳）有限公司	申请人地址	广东省深圳市龙岗区坂田街道雅园路3号3楼、4楼、5楼、6楼的1、2、3、4层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	维达力实业（深圳）有限公司	当前权利人	维达力实业（深圳）有限公司
发明人	王强;晏柱;薛涛
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	马小悦

摘要

本发明涉及一种非晶态CrSiCN涂层及其制备方法、应用和导电膜；其中，非晶态CrSiCN涂层的制备方法中，真空条件下，采用CrSi合金靶为靶材，通入惰性气体、C2H2和N2，进行气相沉积，得到非晶态CrSiCN涂层；其中，所述气相沉积采用离子源辅助沉积。该方法能避免形成具有柱状形貌的晶态CrSiCN，且采用离子源辅助沉积能进一步提高膜层致密性，使涂层结构紧致，进一步提高了涂层的耐腐蚀性、耐磨性和硬度；制得的非晶态CrSiCN涂层应用于各类电子设备，能提高其耐磨、耐防腐性能和硬度，进而提高其使用寿命。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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