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复合高反射层

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200980149203.4
  • IPC分类号:H01L33/46;G02B5/08
  • 申请日期:
    2009-12-07
  • 申请人:
    克利公司
著录项信息
专利名称复合高反射层
申请号CN200980149203.4申请日期2009-12-07
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-10-17公开/公告号CN102742037A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/46IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;4;6;;;G;0;2;B;5;/;0;8查看分类表>
申请人克利公司申请人地址
美国北卡罗来纳州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人克利公司当前权利人克利公司
发明人詹姆斯·伊贝斯顿;郦挺;莫妮卡·汉森
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司代理人余刚;吴孟秋
摘要
一种具有复合高反射层(62)的高效发光二极管,该复合高反射层与所述LED形成一体以提高发射效率。发光二极管(LED)芯片的一个实施方式包括LED和复合高反射层(62),该复合高反射层与LED形成一体,以反射从有源区(54)发射的光。该复合层包括第一层(66)、位于第一层(66)上的交替布置的多个第二层(68)和第三层(70)、以及位于所述多个第二层和第三层的最上面的反射层(71、126)。第二层和第三层具有不同的折射率,并且第一层的厚度是第二层和第三层中最厚的层的至少三倍。对于LED芯片内部的复合层,可包括穿过复合层的导电通孔(128),以允许电信号经过复合层到达LED。

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