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基于梯形铝纳米栅状电极的太阳能电池结构及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201410669670.2
  • IPC分类号:H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48
  • 申请日期:
    2014-11-20
  • 申请人:
    中国科学院半导体研究所
著录项信息
专利名称基于梯形铝纳米栅状电极的太阳能电池结构及其制备方法
申请号CN201410669670.2申请日期2014-11-20
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2015-03-11公开/公告号CN104409637A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/42IPC分类号H;0;1;L;5;1;/;4;2;;;H;0;1;L;5;1;/;4;4;;;H;0;1;L;5;1;/;4;8查看分类表>
申请人中国科学院半导体研究所申请人地址
北京市海淀区清华东路甲35号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院半导体研究所当前权利人中国科学院半导体研究所
发明人刘孔;寇艳蕾;曲胜春;卢树弟;李彦沛;岳世忠
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人任岩
摘要
一种基于梯形铝纳米栅状电极的太阳能电池结构,包括:一梯形铝纳米栅状电极层,其表面具有多条等间距分布并凸起的铝栅线;一阴极缓冲层,其制作在梯形铝纳米栅状电极层上;一有源层,其制作在阴极缓冲层上;一阳极缓冲层,其制作在有源层上;一上电极层,其制作在阳极缓冲层上。本发明可以解决传统的有机‑无机杂化太阳能电池中由于有源层过厚而导致的载流子复合等问题,从而提高有机‑无机杂化太阳能电池的转化效率。

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