用于籽晶生长的石墨坩埚

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202221239382.X
IPC分类号：C30B23/00;C30B35/00
申请日期：
2022-05-23
申请人：
青岛嘉展力拓半导体有限责任公司

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专利名称	用于籽晶生长的石墨坩埚
申请号	CN202221239382.X	申请日期	2022-05-23
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B23/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B23/00 冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;3;/;0;0;;;C;3;0;B;3;5;/;0;0查看分类表>
申请人	青岛嘉展力拓半导体有限责任公司	申请人地址	山东省青岛市城阳区嘉展智谷A栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	青岛嘉展力拓半导体有限责任公司	当前权利人	青岛嘉展力拓半导体有限责任公司
发明人	郭正富;蔡国基
代理机构	青岛发思特专利商标代理有限公司	代理人	张洒洒

摘要

本实用新型公开了一种用于籽晶生长的石墨坩埚，属于坩埚技术领域。其技术方案为包括坩埚底座，坩埚底座上方设置有中继环，中继环上方盖合有坩埚盖，所述坩埚底座的内部设置有若干个中空的原料填充柱，坩埚底座上在中心处的原料填充柱下方设置有石墨凸起。本实用新型通过设置在坩埚底座上的原料填充柱及中心处的石墨凸起，可以均匀地对坩埚内各个位置的原料进行加热，且大大提高了中心处原料的气化效率，解决了籽晶生长过程中坩埚中间部分的原料部分未使用的问题，最终增加了碳化硅晶体生长完成的高度。

1.用于籽晶生长的石墨坩埚，包括坩埚底座(1)，坩埚底座(1)上方设置有中继环(2)，中继环(2)上方盖合有坩埚盖(3)，其特征在于：所述坩埚底座(1)的内部设置有若干个中空的原料填充柱(4)，坩埚底座(1)上在中心处的原料填充柱(4)下方设置有石墨凸起(5)。
2.如权利要求1所述的用于籽晶生长的石墨坩埚，其特征在于：位于中心处的原料填充柱(4)的顶部高于其他原料填充柱(4)的顶部。
3.如权利要求1所述的用于籽晶生长的石墨坩埚，其特征在于：位于中心处的原料填充柱(4)的横截面面积大于其他原料填充柱(4)的横截面面积。
4.如权利要求1所述的用于籽晶生长的石墨坩埚，其特征在于：位于中心处的原料填充柱(4)的壁厚大于其他原料填充柱(4)的壁厚。
5.如权利要求1所述的用于籽晶生长的石墨坩埚，其特征在于：所述石墨凸起(5)的高度为25‑150mm。
6.如权利要求1‑5任一项所述的用于籽晶生长的石墨坩埚，其特征在于：所述坩埚底座(1)上的原料填充柱(4)呈蜂巢状排列。
7.如权利要求6所述的用于籽晶生长的石墨坩埚，其特征在于：中心处原料填充柱(4)的顶部至坩埚底座底部的高度为40‑200mm，横截面的边长为40‑200mm，壁厚为0.5‑1mm；其他原料填充柱(4)的高度为20‑100mm，横截面的边长为20‑100mm，壁厚为0.1‑0.5mm。
8.如权利要求1‑5任一项所述的用于籽晶生长的石墨坩埚，其特征在于：所述中继环(2)插接在坩埚底座(1)的上方且插接处设置有石墨环(6)。
9.如权利要求8所述的用于籽晶生长的石墨坩埚，其特征在于：所述石墨环(6)包括相连接的水平部分和竖直部分，水平部分卡在坩埚底座(1)与中继环(2)之间，竖直部分位于坩埚底座(1)和中继环(2)的外侧。
10.如权利要求8所述的用于籽晶生长的石墨坩埚，其特征在于：所述石墨环(6)的竖直部分的厚度为1‑30mm。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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