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一种紫外高反射率的复合电极及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911424903.1
  • IPC分类号:H01L33/46;H01L33/42
  • 申请日期:
    2019-12-30
  • 申请人:
    广东德力光电有限公司
著录项信息
专利名称一种紫外高反射率的复合电极及其制备方法
申请号CN201911424903.1申请日期2019-12-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-05-08公开/公告号CN111129257A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/46IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;4;6;;;H;0;1;L;3;3;/;4;2查看分类表>
申请人广东德力光电有限公司申请人地址
广东省江门市江海区彩虹路1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人广东德力光电有限公司当前权利人广东德力光电有限公司
发明人易翰翔;李玉珠;武杰;张洪安;陈慧秋
代理机构广州三环专利商标代理有限公司代理人颜希文
摘要
本发明公开了一种紫外高反射率的复合电极,包括N型层、设于所述N型层上方的量子阱及设于所述量子阱上方的P型层,所述P型层上方设有多个独立的ITO圆柱,所述ITO圆柱表面设有连续的Al薄膜。本申请复合电极中,通过ITO圆柱图形化及纯Al薄膜的搭配设计,大大改善了电流扩展效果,减少ITO吸光面积,减少反射路径和路经的吸光层;形成纯Al+DBR的复合反射层,大大提高反射率。同时,本发明还公开一种所述紫外高反射率的复合电极的制备方法。

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