半导体到金属的过渡

发明专利有效专利

申请号：
CN201810843300.4
IPC分类号：H01L21/265;H01L21/28;H01L21/285;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/167;H01L29/32;H01L29/417;H01L29/45;H01L29/66;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861
申请日期：
2015-11-13
申请人：
英飞凌科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体到金属的过渡
申请号	CN201810843300.4	申请日期	2015-11-13
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-10-02	公开/公告号	CN108615676A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/265 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/26 用波或粒子辐射轰击的〔2〕 H01L21/263 带有高能辐射的（H01L 21/261优先）〔2，6〕 H01L21/265 产生离子注入的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;5;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;9;/;1;6;7;;;H;0;1;L;2;9;/;3;2;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1;7;;;H;0;1;L;2;9;/;4;5;;;H;0;1;L;2;9;/;6;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;8;6;1查看分类表>
申请人	英飞凌科技股份有限公司	申请人地址	德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英飞凌科技股份有限公司	当前权利人	英飞凌科技股份有限公司
发明人	A.赫特尔;F.希勒;F.J.桑托斯罗德里格斯;D.施勒格尔;A.R.施特格纳;C.魏斯
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	刘书航;申屠伟进

摘要

本发明涉及半导体到金属的过渡。提出了一种半导体器件（1）。半导体器件（1）包括扩散阻挡层（11）、具有第一导电类型的第一电荷载流子的第一半导体区（12）和具有第二电荷载流子的第二半导体区（13）。第一半导体区（12）包含：与第二半导体区（13）接触的过渡区（123），过渡区（123）具有第一浓度的第一电荷载流子；与扩散阻挡层（11）接触的接触区（121），接触区（121）具有第二浓度的第一电荷载流子，其中，第二浓度高于第一浓度；在接触区（121）和过渡区（123）之间的损伤区（122），损伤区（122）被配置用于与接触区（121）和过渡区（123）的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率相比，降低损伤区（122）的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率。

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