一种OLED器件及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202211267902.2
IPC分类号：H01L51/50;H01L27/32;H01L51/56
申请日期：
2022-10-17
申请人：
上海和辉光电股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种OLED器件及其制备方法
申请号	CN202211267902.2	申请日期	2022-10-17
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2022-12-06	公开/公告号	CN115440909A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;7;/;3;2;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6查看分类表>
申请人	上海和辉光电股份有限公司	申请人地址	上海市金山区工业区九工路1568号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海和辉光电股份有限公司	当前权利人	上海和辉光电股份有限公司
发明人	俞云海
代理机构	上海申新律师事务所	代理人	吴轶淳

摘要

本发明涉及发光半导体器件技术领域，具体涉及一种OLED器件及其制备方法，包括基板，所述基板的上表面形成有多个阳极；多个侧墙，所述侧墙形成于每一对相邻的所述阳极之间的区域，所述侧墙自所述基板的上表面延伸并部分覆盖于两侧的所述阳极上方；特殊功能层，所述特殊功能层形成于所述侧墙上方，以使所述OLED器件的功能区域在所述特殊功能层的上方断开。本发明的有益效果在于通过设置特殊功能层使得功能区域在特殊功能层上方断开，从而阻断了相邻的发光层之间的空穴传输途径，避免了像素点亮时空穴对相邻的像素造成串扰的问题，实现了较好的显示效果。

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