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发光二极管的芯片的制造方法和溅射方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810563235.X
  • IPC分类号:H01L21/02;H01L33/00
  • 申请日期:
    2018-06-04
  • 申请人:
    厦门乾照光电股份有限公司
著录项信息
专利名称发光二极管的芯片的制造方法和溅射方法
申请号CN201810563235.X申请日期2018-06-04
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2019-12-10公开/公告号CN110556284A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/02IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人厦门乾照光电股份有限公司申请人地址
福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人厦门乾照光电股份有限公司当前权利人厦门乾照光电股份有限公司
发明人周弘毅;刘英策;魏振东;李健;吴奇隆
代理机构宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人李高峰;孟湘明
摘要
本发明公开了一发光二极管的芯片的制造方法和溅射方法,其中所述溅射方法包括如下步骤:光刻层叠于一底材的一光刻胶层,以使所述光刻胶层形成至少一溅射空间和环绕在所述溅射空间的四周的一防翘空间,其中所述防翘空间连通所述溅射空间;在溅射一成型材料于所述光刻胶层的所述溅射空间而形成结合于所述底材的一金属层时,所述防翘空间阻止所述成型材料进入于其内;以及去除所述光刻胶层,以完成在所述底材的表面溅射所述金属层的所述溅射方法。

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