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一种基于低温等离子体的止血消杀微系统及其方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010424996.4
  • IPC分类号:A61B18/02
  • 申请日期:
    2020-05-19
  • 申请人:
    北京理工大学
著录项信息
专利名称一种基于低温等离子体的止血消杀微系统及其方法
申请号CN202010424996.4申请日期2020-05-19
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-08-25公开/公告号CN111568530A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号A61B18/02IPC分类号A;6;1;B;1;8;/;0;2查看分类表>
申请人北京理工大学申请人地址
北京市海淀区中关村南大街5号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京理工大学当前权利人北京理工大学
发明人孙毅;娄文忠;冯恒振;郑学均;赵悦岑
代理机构北京万象新悦知识产权代理有限公司代理人王岩
摘要
本发明公开了一种基于低温等离子体的止血消杀微系统及其方法。本发明采用半导体桥阵列,每一个半导体桥采用高掺杂的低阻多晶硅的硅桥,能够根据创伤的面积大小和形状的不同,设定需要使用的半导体桥的数量和位置,并通过控制电路对半导体桥的硅桥施加电压,由电离作用形成等离子体作用于创面,不仅快速止血凝血,并且等离子体中的带电粒子和氧粒子还对创面进行杀菌消毒;本发明应用在应急环境下的基于半导体桥的低温等离子体止血消杀微系统,具有快速精准止血消杀,无附带损伤等优势;同时,使用半导体桥脉冲放电产生等离子体可以实现低电压驱动,减小了功耗,此外半导体桥柔性阵列可以实现异形伤口的治疗,提高了系统工作安全性与可靠性。

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