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一种基于分立式碳化硅功率器件的电机控制器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010721569.2
  • IPC分类号:H02M7/00;H02M7/5387;H02M1/32;H02M1/08;H01L29/16;H01L23/367;H02P27/06;H05K7/20
  • 申请日期:
    2020-07-24
  • 申请人:
    华南理工大学
著录项信息
专利名称一种基于分立式碳化硅功率器件的电机控制器
申请号CN202010721569.2申请日期2020-07-24
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2020-10-30公开/公告号CN111865106A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H02M7/00IPC分类号H;0;2;M;7;/;0;0;;;H;0;2;M;7;/;5;3;8;7;;;H;0;2;M;1;/;3;2;;;H;0;2;M;1;/;0;8;;;H;0;1;L;2;9;/;1;6;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;2;P;2;7;/;0;6;;;H;0;5;K;7;/;2;0查看分类表>
申请人华南理工大学申请人地址
广东省广州市天河区五山路381号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华南理工大学当前权利人华南理工大学
发明人王振民;周豪;张芩;吴祥淼
代理机构广州市华学知识产权代理有限公司代理人霍健兰;梁莹
摘要
本发明提供了一种基于分立式碳化硅功率器件的电机控制器,包括功率电路、数字控制电路和SiC驱动电路;功率电路包括相连接的直流母线电容、三相全桥逆变模块和散热装置;三相全桥逆变电路由三组半桥拓扑结构组成;每组半桥拓扑结构的两个桥臂分别包括至少两个相互并联的SiCMOSFET管;散热装置设置在功率板上;各个SiCMOSFET管分别设置在散热装置上;直流母线电容包括由若干相互并联的薄膜电容器;所有薄膜电容器均匀布设在功率板远离散热装置的一面上;各个SiCMOSFET管分别与距离最近的薄膜电容器连接。该电机控制器具有低导通损耗和低开关损耗的特性,从而提高效率;可减小杂散电感,具有良好的稳定性和可靠性。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供