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采用刻槽工艺形成的恒流二极管

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201220750194.3
  • IPC分类号:H01L29/861;H01L29/06
  • 申请日期:
    2012-12-31
  • 申请人:
    杭州士兰集成电路有限公司;成都士兰半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称采用刻槽工艺形成的恒流二极管
申请号CN201220750194.3申请日期2012-12-31
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/861
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;6;1;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人杭州士兰集成电路有限公司;成都士兰半导体制造有限公司申请人地址
浙江省杭州市杭州(下沙)经济技术开发区东区10号路308号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人杭州士兰集成电路有限公司,成都士兰半导体制造有限公司当前权利人杭州士兰集成电路有限公司,成都士兰半导体制造有限公司
发明人王英杰;徐敏杰;崔建
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人郑玮
摘要
本实用新型提供一种采用刻槽工艺形成的恒流二极管,包括:衬底;位于衬底正面上的外延层;设有第一窗口和第二窗口的第一绝缘层覆盖在外延层表面上;与第一绝缘层紧邻且位于外延层表面上的第二绝缘层;位于外延层中且两端分别与衬底和第二绝缘层连接的P+隔离区;位于第一窗口对应的外延层上的P+多晶硅填充深槽;每个P+多晶硅填充深槽外设有的浅P区;位于第二窗口对应的外延层上且位于相邻两个P+多晶填充深槽区域之间的N+区;位于第一窗口、第二窗口及第一绝缘层上的负电极;位于远离外延层的衬底背面上的正电极。本实用新型解决了现有技术中出现的单位面积电流密度与恒流特性不能同时兼顾问题。

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