场效应晶体管

发明专利有效专利

申请号：
CN200780012035.5
IPC分类号：--
申请日期：
2007-03-29
申请人：
日本电气株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	场效应晶体管
申请号	CN200780012035.5	申请日期	2007-03-29
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2009-04-22	公开/公告号	CN101416290
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	日本电气株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三菱电机株式会社	当前权利人	三菱电机株式会社
发明人	安藤裕二;宫本广信;中山达峰;冈本康宏;井上隆;村濑康裕;大田一树;分岛彰男;黑田尚孝
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	孙志湧;穆德骏

摘要

公开了一种HJFET？110，其包括：由InyGa1-yN(0≤y≤1)构成的沟道层12；由AlxGa1-xN(0≤x≤1)构成的载流子供应层13，所述载流子供应层13提供在所述沟道层12上方并且包括至少一个p型层；以及源电极15S、漏电极15D和栅电极17，它们设置成通过所述p型层面向所述沟道层12，并提供在所述载流子供应层13上方。满足下面的关系表达式：5.6×1011x＜NS×η×t[cm-2]＜5.6×1013x，其中x表示所述载流子供应层的Al组分比例，t表示所述p型层的厚度，NA表示杂质浓度，以及η表示活化比率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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