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浅沟道隔离结构的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200910046888.1
  • IPC分类号:H01L21/762
  • 申请日期:
    2009-03-02
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称浅沟道隔离结构的制造方法
申请号CN200910046888.1申请日期2009-03-02
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2010-09-08公开/公告号CN101826484A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人胡建强;吴佳特;李绍彬;庞军玲
代理机构北京德琦知识产权代理有限公司代理人王一斌;王琦
摘要
本发明中公开了一种浅沟道隔离结构的制造方法,该方法包括:在半导体衬底上依次形成垫氧化层、氮化硅层和光刻胶层,在进行曝光显影工艺后,以光刻胶层为掩膜对氮化硅层、垫氧化层和半导体衬底进行刻蚀,形成浅沟槽;对氮化硅层进行回蚀;使用现场蒸汽生成工艺在浅沟槽内壁以及由于所述回蚀而暴露在外的有源区上形成衬氧化层;向浅沟槽内填充绝缘层,去除氮化硅层和垫氧化层,形成浅沟槽隔离结构。通过使用上述的方法,有利于在STI结构上形成对称的圆形顶角,同时还增加了该圆形顶角上的氧化层的厚度,从而减小了所述凹坑对半导体元器件的电学性能的不利影响。

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