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用于小线宽和下降的线宽的JFET的可扩展工艺和结构

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200780021856.5
  • IPC分类号:H01L29/80
  • 申请日期:
    2007-06-11
  • 申请人:
    帝斯曼方案公司
著录项信息
专利名称用于小线宽和下降的线宽的JFET的可扩展工艺和结构
申请号CN200780021856.5申请日期2007-06-11
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2009-06-24公开/公告号CN101467261
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/80
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;0查看分类表>
申请人帝斯曼方案公司申请人地址
日本三重县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三重富士通半导体股份有限公司当前权利人三重富士通半导体股份有限公司
发明人玛杜胡卡·沃拉;阿首克·库马尔·卡泊尔
代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司代理人肖善强;南霆
摘要
一种用于形成具有45纳米或更小线宽的常闭型JFET的可扩展器件结构和工艺。通过在衬底上形成一层厚度小于1000埃优选地为500埃或更小的氧化物而形成到源极区域、漏极区域和栅极区域的接触。在氧化物上形成氮化层,并且蚀刻用于源极、漏极和栅极接触的孔。然后沉积一层多晶硅从而填充所述孔,并且所述多晶硅被抛光到使其与氮化层平齐。然后向多晶硅接触注入所需要的晶体管的沟道类型所需要的杂质,并且所述杂质被置入到半导体衬底之下,从而形成源极区域、漏极区域和栅极区域。

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