适用于紫外LED的外延生长方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011007842.1
IPC分类号：H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/12
申请日期：
2020-09-23
申请人：
湘能华磊光电股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	适用于紫外LED的外延生长方法
申请号	CN202011007842.1	申请日期	2020-09-23
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-12-18	公开/公告号	CN112103375A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2;;;H;0;1;L;3;3;/;1;2查看分类表>
申请人	湘能华磊光电股份有限公司	申请人地址	湖南省郴州市白露塘有色金属产业园变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湘能华磊光电股份有限公司	当前权利人	湘能华磊光电股份有限公司
发明人	徐平;肖智;王杰;谢鹏杰
代理机构	长沙七源专利代理事务所（普通合伙）	代理人	张勇;刘伊旸

摘要

本申请公开了一种适用于紫外LED的外延生产方法，依次包括处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱发光层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长多量子阱发光层依次包括所述生长InGaN阱层、生长SiNx层、生长InyN1‑y层、生长In线性渐变InAlGaN层以及生长GaN垒层的步骤。本发明方法解决现有LED外延生长中存在的LED发光效率较低的问题，以满足紫外LED的应用需要，同时降低工作电压，增强抗静电能力。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供