转移大面积二维材料的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201910999420.8
IPC分类号：C23C16/01;C23C16/26;C23C16/30;C01B32/186;C01B32/194
申请日期：
2019-10-21
申请人：
武汉大学

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著录项信息

专利名称	转移大面积二维材料的方法
申请号	CN201910999420.8	申请日期	2019-10-21
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2020-04-10	公开/公告号	CN110983287A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/01 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/01 在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上〔7〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;0;1;;;C;2;3;C;1;6;/;2;6;;;C;2;3;C;1;6;/;3;0;;;C;0;1;B;3;2;/;1;8;6;;;C;0;1;B;3;2;/;1;9;4查看分类表>
申请人	武汉大学	申请人地址	湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉大学	当前权利人	武汉大学
发明人	付磊;曾梦琪;丁煜
代理机构	武汉科皓知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	暂无

摘要

本发明提供一种转移大面积二维材料的方法，包括步骤1.采用高熔点材料基底作为生长基底；步骤2.采用低熔点材料作为熔池材料，并将该熔池材料放置在生长基底上；步骤3.将高温区的温度升高到待转移材料的生长温度，使熔池材料形成液态熔池，然后开始生长待转移材料，使该待转移材料大面积生长在熔池表面上，形成大面积二维材料；步骤4.将生长有大面积二维材料的生长基底移动到低温区，低温区的温度应低于目标基底的熔点、并且在熔池材料的初熔温度附近，使熔池材料保持液态；步骤5.将目标基底放置在熔池近旁，通过位于熔池上方的辊轴的转动和移动，将大面积二维材料转移到目标基底上。通过本方法能够实现大面积二维材料的规模制备转移。

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