首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

应用于刻蚀设备内的聚焦环、其形成方法及刻蚀设备

发明专利有效专利

申请号：
CN202010611986.1
IPC分类号：H01J37/32;H01L21/67
申请日期：
2020-06-30
申请人：
上海华力集成电路制造有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	应用于刻蚀设备内的聚焦环、其形成方法及刻蚀设备
申请号	CN202010611986.1	申请日期	2020-06-30
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-09-11	公开/公告号	CN111653469A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/32 充气放电管（放电加热的入H05B）	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人	上海华力集成电路制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力集成电路制造有限公司	当前权利人	上海华力集成电路制造有限公司
发明人	孙磊;许任辉
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	张彦敏

摘要

本发明涉及刻蚀设备内的聚焦环，涉及半导体集成电路制造技术，采用具有不同导热系数的第一子聚焦环与第二子聚焦环及将其连接的连接件形成聚焦环，可根据期望的导热系数选择第一子聚焦环、第二子聚焦环和连接件的材质，而使形成的聚焦环具有期望的导热系数，而利于控制晶圆边缘的温度。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供