低噪声放大器

发明专利有效专利

申请号：
CN201310419522.0
IPC分类号：H03F1/26
申请日期：
2013-09-13
申请人：
上海集成电路研发中心有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	低噪声放大器
申请号	CN201310419522.0	申请日期	2013-09-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-12-25	公开/公告号	CN103475314A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03F1/26 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03F 放大器（测量、试验入G01R；光参量放大器入G02F；具有二次发射管的电路装置入H01J 43/30；微波激射器，激光器入H01S；电动放大器入H02K；放大的控制入H03G；与放大器特性无关的耦合装置，分压器入H03H；只能处理脉冲的放大器入H03K；传输线路中的中继器电路入H04B 3/36、H04B 3/58；电话通信中音频放大器的应用入H04M 1/60，H04M 3/40） H03F1/00 只用电子管，只用半导体器件或只用未特别指明的器件作为放大元件的放大器的零部件 H03F1/26 为减少由放大元件产生的噪声影响对放大器的改进	IPC分类号	H;0;3;F;1;/;2;6查看分类表>
申请人	上海集成电路研发中心有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高斯路497号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海集成电路研发中心有限公司	当前权利人	上海集成电路研发中心有限公司
发明人	李琛;蒋宇;吕本强
代理机构	上海天辰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	吴世华;林彦之

摘要

本发明公开了一种低噪声放大器，其包括输入阻抗匹配电路、放大电路和输出阻抗匹配电路，其中所述输入阻抗匹配电路，其包含有源电感电路，用于匹配不同频率下的输入阻抗，其包括第一NMOS管，其源极连接第三电流源，漏极接电压源；第二NMOS管，其漏极连接第二电流源及第一NMOS管的栅极；第三NMOS晶体管，其漏极与第二NMOS管的源极相连，栅极与第一NMOS管的源极相连，源极接地；以及第四NMOS管，其漏极与第二NMOS管的栅极以及第一电流源相连，栅极与第三NMOS管源极相连，漏极接地；放大电路与有源电感电路及输出阻抗匹配电路相连。本发明的低噪声放大器可在不同频率下，实现信号放大。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供