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一种钴酸锰多孔纳米片/泡沫镍复合电极材料的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510705545.7
  • IPC分类号:H01G11/86;H01G11/24;H01G11/26
  • 申请日期:
    2015-10-27
  • 申请人:
    渤海大学
著录项信息
专利名称一种钴酸锰多孔纳米片/泡沫镍复合电极材料的制备方法
申请号CN201510705545.7申请日期2015-10-27
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2016-01-13公开/公告号CN105244191A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01G11/86IPC分类号H;0;1;G;1;1;/;8;6;;;H;0;1;G;1;1;/;2;4;;;H;0;1;G;1;1;/;2;6查看分类表>
申请人渤海大学申请人地址
辽宁省锦州市高新技术开发区科技路19号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人渤海大学当前权利人渤海大学
发明人许家胜;张杰;孙雨霆;刘琳;钱建华
代理机构沈阳亚泰专利商标代理有限公司代理人郭元艺
摘要
本发明属无机非金属材料制备领域,尤其涉及一种钴酸锰多孔纳米片/泡沫镍复合电极材料制备方法,其以可溶性锰盐、可溶性钴盐、尿素和氟化铵在醇/水混合溶液中充分溶解。将洗净并干燥好的泡沫镍浸入到上述混合溶液中,进行水热反应,洗涤干燥后得到长有纳米片列阵的泡沫镍,再经过干燥、煅烧冷却后即得钴酸锰多孔纳米片/泡沫镍复合电极材料。本发明工艺简便易行、产品纯度高、制备成本低,所得产品具有新颖的形貌,并且牢固的生长在高导电性的泡沫镍表面。钴酸锰纳米片的厚度在50~80nm之间,长宽在1mm左右,且产品的均一性、分散性都很好,可以直接应用于超级电容器电极材料,且生产工艺较简单,易于应用于实际大规模生产。

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