加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种微结构阵列光学位移传感器的制造方法及其用于检测微小位移的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510445700.6
  • IPC分类号:G01B11/02;B81B7/00;B81C1/00
  • 申请日期:
    2015-07-27
  • 申请人:
    南开大学
著录项信息
专利名称一种微结构阵列光学位移传感器的制造方法及其用于检测微小位移的方法
申请号CN201510445700.6申请日期2015-07-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-12-16公开/公告号CN105157579A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01B11/02IPC分类号G;0;1;B;1;1;/;0;2;;;B;8;1;B;7;/;0;0;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人南开大学申请人地址
天津市卫津路94号南开大学物理科学学院 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南开大学当前权利人南开大学
发明人兀伟;任梦昕;皮彪;蔡卫;张心正;许京军
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了一种微结构阵列光学位移传感器的制造方法及其用于检测微小位移的方法,所述方法包括:首先在基底材料表面进行镀膜,利用微纳米加工方法在基底材料上制备具有光谱特征峰的微结构阵列;将具有微结构阵列的基底固定于被测样品表面并利用光谱仪对样品表面的微结构进行光谱测量;移动位移传感器,记录光谱特征峰移动位置并计算位移量。所述方法制造的微结构阵列光学位移传感器可以测量微小区域内位移变化量,且具有测量灵敏度高、检测速度快的优势。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供