半导体激光器

发明专利无效专利

申请号：
CN200810004838.2
IPC分类号：H01S5/06;H01S5/14
申请日期：
2008-02-04
申请人：
中国计量科学研究院

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体激光器
申请号	CN200810004838.2	申请日期	2008-02-04
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-08-12	公开/公告号	CN101505033
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/06 控制激光器输出参数的装置，例如控制激活介质〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;6;;;H;0;1;S;5;/;1;4查看分类表>
申请人	中国计量科学研究院	申请人地址	北京市北三环东路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国计量科学研究院	当前权利人	中国计量科学研究院
发明人	臧二军;曹建平;李烨;方占军
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	李玲

摘要

本发明公开一种半导体激光器，包括：半导体激光管(1)、准直透镜(3)、光栅(12)和F-P腔，其中，所述F-P腔为单块折叠F-P腔(5)。通过本发明使得光栅外腔半导体激光器不用反馈锁定电子系统，实现输出激光的谱线宽度小于100kHz，解决常规光栅外腔半导体激光器谱线较宽的问题，以及分立元件稳定性不好，体积过大和系统复杂等问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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