一种半导体器件及其制作方法、电子装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201610886290.3
IPC分类号：H01L21/336;H01L29/78
申请日期：
2016-10-11
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种半导体器件及其制作方法、电子装置
申请号	CN201610886290.3	申请日期	2016-10-11
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-04-17	公开/公告号	CN107919286A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	王启光;赵金柱;翟立君;冯永波;肖志强
代理机构	北京市磐华律师事务所	代理人	高伟;张建

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成硅基鳍片；去除所述硅基鳍片用于形成源漏区的部分，保留用作沟道的部分；在去除用于形成源漏区的部分而露出的所述硅基鳍片的侧面上形成硅锗层；执行第一热处理工艺，以使所述硅锗层中的锗扩散进入所述硅基鳍片用作沟道的部分，从而形成硅锗基沟道。该制作方法可以提供较高的载流子迁移率，并改善短沟道效应。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供