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半导体功率器件斜坡场板的制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110579844.6
  • IPC分类号:H01L21/28;H01L29/40;G03F7/20
  • 申请日期:
    2021-05-26
  • 申请人:
    四川上特科技有限公司
著录项信息
专利名称半导体功率器件斜坡场板的制作方法
申请号CN202110579844.6申请日期2021-05-26
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-27公开/公告号CN113314405A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;0;;;G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人四川上特科技有限公司申请人地址
四川省遂宁市射洪市河东大道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人四川上特科技有限公司当前权利人四川上特科技有限公司
发明人李健儿;冯艾城;李学良;冯永;胡仲波;唐毅;刘继芝;鲜贵容
代理机构石家庄科诚专利事务所(普通合伙)代理人刘丽丽;张帆
摘要
本发明公开了一种半导体功率器件斜坡场板的制作方法,首先,对应斜坡区域设计两块灰度光刻版,然后在每块光刻版灰度区域,设置尺寸小于光刻分辨率的均匀栅格,并在各个栅格对铬层开孔制得灰度光刻版;接着,以这两块灰度光刻版为掩膜对光刻胶先后两次曝光,显影后产生斜坡光刻胶,再以斜坡光刻胶作为掩膜进行等离子干法刻蚀,最后进行金属淀积与反应离子刻蚀,制得斜坡场板。本发明提供的方法简化了工艺步骤,降低了工艺难度和成本,使用较少的工艺步骤和成本实现斜坡场板制作,同时相对于一次曝光,双曝光增加了对斜坡场板范围与梯度的选择。本发明属于半导体集成电路制造技术领域,用于制作斜坡场板。

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