一种晶体发光垂直结构LED封装

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201820630238.6
IPC分类号：H01L33/54;H01L33/62;H01L33/50
申请日期：
2018-04-28
申请人：
中国人民大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种晶体发光垂直结构LED封装
申请号	CN201820630238.6	申请日期	2018-04-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/54 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕 H01L33/52 封装〔2010.01〕 H01L33/54 具有特定形状〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;5;4;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;3;3;/;5;0查看分类表>
申请人	中国人民大学	申请人地址	北京市海淀区中关村大街59号中国人民大学变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国人民大学	当前权利人	中国人民大学
发明人	曹永革;申小飞;文子诚
代理机构	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人	徐宁;孙楠

摘要

本实用新型涉及一种晶体发光垂直结构LED封装，其包括基板，以及设置在所述基板上部的基板正面线路层和设置在所述基板下部的基板反面线路层；在所述基板内设置有线路导通柱，所述基板正面线路层与所述基板反面线路层通过所述线路导通柱导通；位于所述基板上部中间位置处设置有共晶层，位于所述共晶层上部设置有LED垂直芯片，且所述LED垂直芯片顶部经金线与所述基板正面线路层连接导通；位于所述LED垂直芯片上部还设置有晶体片；透镜两端与所述基板密封连接，且所述透镜将所述晶体片、LED垂直芯片、共晶层和基板正面线路层密封在所述透镜与所述基板之间。本实用新型晶体厚度和浓度一致性好，使LED发光颜色一致性好，免分光分色，减少生产工序，提高良率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供