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集成电路制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200710091790.9
  • IPC分类号:H01L21/82;H01L27/14
  • 申请日期:
    2007-04-11
  • 申请人:
    三洋电机株式会社
著录项信息
专利名称集成电路制造方法
申请号CN200710091790.9申请日期2007-04-11
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2007-10-31公开/公告号CN101064278
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/82
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;8;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;4查看分类表>
申请人三洋电机株式会社申请人地址
日本国大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三洋电机株式会社当前权利人三洋电机株式会社
发明人山田哲也;今井勉
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人李香兰
摘要
在对光检测器的上部结构层进行蚀刻时需要提高受光部面的平坦性。本发明提供一种集成电路的制造方法,其在层叠于基板上的基底层、受光部衬垫、上部结构层形成开口部分,该制造方法包括:受光部衬垫蚀刻工序,根据所述上部结构层与所述受光部衬垫的选择比高的蚀刻条件,对所述上部结构层与所述受光部衬垫进行蚀刻;和基底层蚀刻工序,在所述受光部衬垫蚀刻工序后,切换为所述受光部衬垫与所述基底层的选择比高的蚀刻条件,对所述受光部衬垫及所述基底层进行蚀刻。由此,可以实现开口部分底面的平坦性的提高,可以提高受光部面内的入射光量的均匀性。

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