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抑制与非门电荷捕捉存储器边缘电场干扰的方法与装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200910217191.6
  • IPC分类号:H01L27/115;H01L21/8247
  • 申请日期:
    2009-12-31
  • 申请人:
    旺宏电子股份有限公司
著录项信息
专利名称抑制与非门电荷捕捉存储器边缘电场干扰的方法与装置
申请号CN200910217191.6申请日期2009-12-31
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2010-08-11公开/公告号CN101800223A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/115
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IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7查看分类表>
申请人旺宏电子股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人旺宏电子股份有限公司当前权利人旺宏电子股份有限公司
发明人吕函庭;萧逸璿
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人汤保平
摘要
本发明揭露于半间距为30纳米节点以下的先进光刻工艺,电荷捕捉与非门非挥发存储器具有放置足够地接近的邻近存储单元,其邻近的通过栅极产生的边缘电场对临界电压干扰。举例而言,电荷储存结构的等效氧化层厚度其至少为该电荷储存结构一完整间距的三分之一。此边缘电场产生的干扰可以占据分隔相邻电荷储存结构之间的间隙。此边缘电场可以由绝缘结构相对于真空而言,具有一介电常数是小于氧化硅的介电常数而抑制进入相邻的电荷储存结构中。在某些实施例中,此绝缘结构抑制边缘电场进入一通道区域中。如此可以在此装置具有一较小尺寸下仍能抑制短通道效应。

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