一种高介电常数石墨烯三元复合薄膜及制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN202010117494.7
IPC分类号：C08J5/18;C08L63/00;C08L79/08;C08L39/06;C08K7/00;C08K3/04
申请日期：
2020-02-25
申请人：
彭军文

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著录项信息

专利名称	一种高介电常数石墨烯三元复合薄膜及制备方法
申请号	CN202010117494.7	申请日期	2020-02-25
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2020-05-22	公开/公告号	CN111187435A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C08J5/18 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C08 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 C08J 加工；配料的一般工艺过程；不包括在C08B，C08C，C08F，C08G或C08H小类中的后处理（塑料的加工，如成型入B29）〔2〕 C08J5/00 含有高分子物质的制品或成形材料的制造（半透膜的制造入B01D 67/00至B01D 71/00）〔2〕 C08J5/18 薄膜或片材的制造〔2〕	IPC分类号	C;0;8;J;5;/;1;8;;;C;0;8;L;6;3;/;0;0;;;C;0;8;L;7;9;/;0;8;;;C;0;8;L;3;9;/;0;6;;;C;0;8;K;7;/;0;0;;;C;0;8;K;3;/;0;4查看分类表>
申请人	彭军文	申请人地址	广东省广州市番禺区大学城外环西路230号广州大学化学化工学院变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	彭军文	当前权利人	彭军文
发明人	彭军文
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种高介电常数石墨烯三元复合薄膜及制备方法，复合薄膜由包括聚合物基体、增韧体、介电填料采用溶液共混法制成，所述聚合物基体为环氧树脂，所述增韧体是聚醚酰亚胺，所述介电填料是石墨烯片，其中所述环氧树脂质量份为100份，所述聚醚酰亚胺质量份为15‑35份，所述石墨烯片质量份为0.1‑2份，该薄膜具有高介电常数、韧性好，具有高达400的介电常数，且该制备方法工艺简单，易成型加工，成型周期短。

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