材料的填充方法、半导体结构和3DNAND存储器

发明专利有效专利

申请号：
CN202111006210.8
IPC分类号：H01L21/768;H01L23/528;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
申请日期：
2021-08-30
申请人：
长江存储科技有限责任公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	材料的填充方法、半导体结构和3DNAND存储器
申请号	CN202111006210.8	申请日期	2021-08-30
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-30	公开/公告号	CN113725149A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/768 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/71 限定在组H01L 21/70中的器件的特殊部件的制造（H01L 21/28，H01L 21/44，H01L 21/48优先）〔6〕 H01L21/768 利用互连在器件中的分离元件间传输电流〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;8;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;5;1;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;8查看分类表>
申请人	长江存储科技有限责任公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长江存储科技有限责任公司	当前权利人	长江存储科技有限责任公司
发明人	付家赫;熊少游;程磊
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司	代理人	霍文娟

摘要

本申请提供了一种材料的填充方法、半导体结构和3D NAND存储器。该填充方法包括：提供具有预定结构的基底，预定结构为包括弯曲部的孔或者凹槽；对预定结构进行处理，以减小预定材料在预定结构的顶部和底部的生长速率差异；在处理后的预定结构中填充预定材料，形成剩余预定结构，剩余预定结构为未填充有预定材料的预定结构；对剩余预定结构的表面进行处理，以减小剩余预定结构的表面的粗糙度；在处理后的剩余预定结构中填充预定材料，直到充满为止。通过对剩余的孔或凹槽的表面进行处理，从而减小了预定材料沉积时的晶粒大小，进而减小或消除顶部的填充缺陷，解决了现有技术中顶部的弯曲区域导致的孔洞的填充缺陷较大的问题。

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