半导体装置以及过电流保护的设备

发明专利有效专利

申请号：
CN201711133025.9
IPC分类号：H02M3/158;H02M1/088;H02H7/12
申请日期：
2017-11-15
申请人：
三星电子株式会社

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著录项信息

专利名称	半导体装置以及过电流保护的设备
申请号	CN201711133025.9	申请日期	2017-11-15
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-05-25	公开/公告号	CN108075662A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02M3/158 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节（专用于没有可动部件的电子时钟的电流或者电压的变换入G04G 19/02；调节电或磁变量的系统，例如用变压器、电抗器、或扼流圈及这种系统与静止变换器的组合，一般入G05F；用于数字计算机的入G06F 1/00；变压器入H01F；与类似的或其他供电电源联合运行的一个变换器的连接或控制入H02J；机电变换器入H02K 47/00；控制变压器、电抗器或扼流圈、电动机、发电机或机电变换器的控制调节入H02P；脉冲发生器入H03K）〔4，5〕 H02M3/00 直流功率输入变换为直流功率输出 H02M3/02 没有中间变换为交流的 H02M3/04 用静态变换器的 H02M3/10 应用有控制极的放电管或有控制极的半导体器件的（H02M 3/07优先）〔4〕 H02M3/145 应用需要连续使用控制信号的三极管或晶体管式的器件的〔2〕 H02M3/155 仅用半导体器件的〔2〕 H02M3/156 带有自动控制输出电压或电流的，例如开关调节器〔4〕 H02M3/158 含有多个半导体器件作为单个负载的最终控制器件〔4〕	IPC分类号	H;0;2;M;3;/;1;5;8;;;H;0;2;M;1;/;0;8;8;;;H;0;2;H;7;/;1;2查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道水原市灵通区三星路129号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	全浩渊;柳华烈;李承圭;金恩淑
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	刘培培;黄隶凡

摘要

一种半导体装置以及过电流保护的设备。一种半导体装置包含：电感器，其选择性地连接到供电电压并且被配置成存储以及释放能量；第一晶体管，其连接在供电电压与电感器之间并且被配置成将供电电压提供给电感器；第二晶体管，其串联地连接到第一晶体管、连接在电感器与接地电压之间并且被配置成将接地电压提供给电感器；调制器，其被配置成将调制信号提供给控制电路，控制电路被配置成通过进行脉宽调制(PWM)来控制第一晶体管以及第二晶体管；电流传感器，其被配置成感测穿过第一晶体管的电流量并且基于所感测的电流量来生成第一输出信号；以及第一过电流保护输出生成器，其被配置成基于第一输出信号以及第一参考信号来生成第二输出信号。

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