光刻方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201710794553.2
IPC分类号：G03F1/56
申请日期：
2017-09-06
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	光刻方法
申请号	CN201710794553.2	申请日期	2017-09-06
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2019-01-15	公开/公告号	CN109212893A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/56 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/16 （转入G03F 1/00-G03F 1/86） G03F1/54 吸收剂，例如不透明材料〔2012.01〕 G03F1/56 有机吸收剂，例如光致抗蚀剂〔2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;5;6查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	翁明晖;吴承翰;张庆裕;林进祥
代理机构	隆天知识产权代理有限公司	代理人	冯志云;王芝艳

摘要

本公开实施例提供光刻光致抗蚀剂材料与对应的光刻技术以改善光刻分辨率，特别是在显影时降低光致抗蚀剂层的膨润现象。例示性的光刻方法包含在光致抗蚀剂层上进行处理工艺，使光致抗蚀剂层的酸活性基团组成经由可交联功能组成进行交联反应；在光致抗蚀剂层上进行曝光工艺；以及在光致抗蚀剂层上进行显影工艺。在一些实施方式中，曝光工艺后的光致抗蚀剂层包含曝光部分与未曝光部分，且处理工艺可增加未曝光部分中的聚合物分子量，以降低未曝光部分对显影工艺采用的显影剂的溶解度。处理工艺可在曝光工艺之前或之后进行。处理工艺可包含进行热处理和/或电磁波处理，以加热光致抗蚀剂层。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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