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发光二极管和激光器制作方法及发光二极管和激光器

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810052484.9
  • IPC分类号:H01L33/00;H01S5/00
  • 申请日期:
    2008-03-21
  • 申请人:
    南开大学
著录项信息
专利名称发光二极管和激光器制作方法及发光二极管和激光器
申请号CN200810052484.9申请日期2008-03-21
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-08-20公开/公告号CN101246942
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;S;5;/;0;0查看分类表>
申请人南开大学申请人地址
天津市南开区卫津路94号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南开大学当前权利人南开大学
发明人孟志国;吴春亚;熊绍珍;李娟
代理机构天津佳盟知识产权代理有限公司代理人侯力
摘要
一种发光二极管和激光器制作方法及发光二极管和激光器,方法是将发光二极管和激光器直接外延生长在单晶硅薄膜石英衬底上或外延生长在沉积有缓冲层的单晶硅薄膜石英衬底上。半导体发光二极管结构有与石英衬底键合单晶硅薄膜;形成在石英衬底上的单晶硅电极层;外延生长在单晶硅电极层上的LED的N层;位于LED的N层上的LED发光层;位于LED的发光层上的LED的P层;形成在P层上的LED顶部电极。半导体激光器结构有与石英衬底键合单晶硅薄膜;形成在石英衬底上的单晶硅电极层;外延生长在单晶硅电极层上的LD的N层;位于LD的N层之上的LD的有源层;位于LD的有源层之上的LD的P层;形成在LD的P层之上的LD的顶部电极。本发明可实现LED和LD器件的底发光,可提高LED和LD的发光效率。

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