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半导体发光元件的制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200980142895.X
  • IPC分类号:H01L33/32;H01S5/343
  • 申请日期:
    2009-10-27
  • 申请人:
    松下电工株式会社;松下电器产业株式会社
著录项信息
专利名称半导体发光元件的制造方法
申请号CN200980142895.X申请日期2009-10-27
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日2011-09-28公开/公告号CN102203966A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/32IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;3;2;;;H;0;1;S;5;/;3;4;3查看分类表>
申请人松下电工株式会社;松下电器产业株式会社申请人地址
日本大阪府 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人松下电器产业株式会社当前权利人松下电器产业株式会社
发明人山江和幸;福岛博司;安田正治;岩桥友也;龟井英德;前田修作
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人李伟;王轶
摘要
本发明的半导体发光元件的制造方法具有:半导体层形成工序、接合工序、槽形成工序、光照射工序、剥离工序和切断工序。在半导体层形成工序中,在具有透光性的第1晶片的上表面形成多层氮化物半导体层。在接合工序中,在多层氮化物半导体层的上表面接合第2晶片。在槽形成工序中,形成从第1晶片的下表面至少到达多层氮化物半导体层的深度的槽。在光照射工序中,隔着第1晶片对多层氮化物半导体层的下表面照射第1光。由此,多层氮化物半导体层与第1晶片之间的接合力降低。在剥离工序中,从多层氮化物半导体层分离第1晶片。在切断工序中,沿着槽切断第2晶片,由此分割成多个半导体发光元件。

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