具有互补钟控开关本体NMOS-PMOS伪元件的开关本体NMOS-PMOS开关

发明专利无效专利

申请号：
CN201010578707.2
IPC分类号：H03K17/687
申请日期：
2010-12-03
申请人：
NXP股份有限公司

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专利名称	具有互补钟控开关本体NMOS-PMOS伪元件的开关本体NMOS-PMOS开关
申请号	CN201010578707.2	申请日期	2010-12-03
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-06-29	公开/公告号	CN102111138A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03K17/687 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03K 脉冲技术（脉冲特性测量入G01R；用脉冲调制正弦波振荡的入H03C；数字信息的传输入H04L；利用对振荡周期进行计数或积分来检定两个信号相位差的鉴别器电路入H03D 3/04；与发生器类型无关的或者并非特指的电子振荡发生器或脉冲发生器的自动控制、起振、同步或稳定入H03L；编码、一般译码或代码转换入H03M）〔4〕 H03K17/00 电子开关或选通，即不通过通断接触的（选通放大器入H03F 3/72；使用静态器件的交换系统的开关装置入H04Q 3/52） H03K17/51 按使用特殊元件区分的（H03K 17/04至H03K 17/30，H03K 17/94优先）〔3〕 H03K17/56 应用半导体器件作为有源元件的（应用二极管的入H03K 17/74）〔3〕 H03K17/687 应用场效应晶体管的〔3〕	IPC分类号	H;0;3;K;1;7;/;6;8;7查看分类表>
申请人	NXP股份有限公司	申请人地址	荷兰艾恩德霍芬变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	NXP股份有限公司	当前权利人	NXP股份有限公司
发明人	吴琼;凯文·马胡提
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	倪斌

摘要

采样保持馈电开关，具有并联的PMOS分支和并联的NMOS分支，每个从输入节点延伸至与保持电容器连接的输出节点。每个PMOS分支具有与相匹配的PMOS伪FET连接的PMOS开关FET，以及每个NMOS分支具有与相匹配的NMOS伪FET连接的NMOS开关FET。采样时钟将PMOS开关FET接通和断开，同步反采样时钟产生PMOS伪FET的互补的on-off切换。同时，同步反采样时钟将NMOS开关FET接通和断开，以及采样时钟产生NMOS伪FET的互补的on-off切换。偏置序列电路以互补的方式偏置PMOS开关FET的本体和PMOS伪FET的本体，也以互补的方式偏置NMOS开关FET的本体和NMOS伪FET的本体。PMOS伪FET的on-off切换注入抵消了通过PMOS信号开关FET注入的电荷的电荷，以及注入抵消了通过PMOS信号开关FET注入的伪信号脉冲的伪信号脉冲。NMOS伪FET的on-off切换注入抵消了通过NMOS信号开关FET注入的电荷的电荷，以及注入抵消了通过NMOS信号开关FET注入的伪信号脉冲的伪信号脉冲。

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