结晶区温度梯度调节器与坩埚下降法单晶生长装置

发明专利无效专利

申请号：
CN200810044561.6
IPC分类号：C30B11/00;F27B14/04;F27B14/06;F27B14/20
申请日期：
2008-04-10
申请人：
四川大学

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专利名称	结晶区温度梯度调节器与坩埚下降法单晶生长装置
申请号	CN200810044561.6	申请日期	2008-04-10
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-11-26	公开/公告号	CN101311332
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B11/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B11/00 正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法（C30B 13/00，C30B 15/00，C30B 17/00，C30B 19/00优先；保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;1;/;0;0;;;F;2;7;B;1;4;/;0;4;;;F;2;7;B;1;4;/;0;6;;;F;2;7;B;1;4;/;2;0查看分类表>
申请人	四川大学	申请人地址	四川省成都市一环路南一段24号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	四川大学	当前权利人	四川大学
发明人	朱世富;赵北君;何知宇;陈宝军;唐世红;王立苗
代理机构	成都科海专利事务有限责任公司	代理人	黄幼陵

摘要

一种结晶区温度梯度调节器，由保温隔热材料制作的座板和保温隔热材料制作的动板组成，动板放置在座板所设置的凹槽中，其与凹槽为动配合。一种坩埚下降法单晶生长装置，包括上端封闭、下端开口的整体式炉体，安装在炉体上的加热器，安装安瓿的坩埚套，放置坩埚套的坩埚托，与坩埚托连接的升降旋转驱动机构，安装在炉膛结晶区B的上述结构结晶区温度梯度调节器；结晶区温度梯度调节器的座板固定在炉体上，旋转放置在座板凹槽中的动板，便可调节座板凹槽环面上调温孔I和动板环面上调温孔II的重合面积，从而调节从高温A区向低温C区辐射和传导的热流量，使结晶区B温度梯度可在大范围内调整，易于获得窄温区、大温梯的温场分布。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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