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半导体器件加工装置以及控制半导体器件加工工艺的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200580027247.1
IPC分类号：H01J37/317
申请日期：
2005-08-11
申请人：
应用材料有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体器件加工装置以及控制半导体器件加工工艺的方法
申请号	CN200580027247.1	申请日期	2005-08-11
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-07-18	公开/公告号	CN101002295
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/317 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/30 物体局部处理用的电子束管或离子束管 H01J37/317 用于改变物体的特性或在其上加上薄层的，如离子注入（H01J 37/36优先）〔3〕	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;1;7查看分类表>
申请人	应用材料有限公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	应用材料有限公司	当前权利人	应用材料有限公司
发明人	J·Y·西蒙斯
代理机构	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人	赵蓉民

摘要

半导体器件加工装置的工艺室内的粒子监控器提供了对该室内的污染粒子流量进行的测量。所述流量被测量，同时在工艺室内产生工艺条件，并对所述测量的流量做出响应而调节工艺参数，以减少在所述工艺期间的这个流量。在离子注入机中，粒子传感器(24)在正被处理的晶片前面的位置上对混在离子束(32)中的所述粒子流量进行测量。

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