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包含纳米结构的发光装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201280055344.1
IPC分类号：H01L51/52
申请日期：
2012-11-09
申请人：
日东电工株式会社

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	包含纳米结构的发光装置
申请号	CN201280055344.1	申请日期	2012-11-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-08-06	公开/公告号	CN103975456A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/52 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕 H01L51/52 器件的零部件〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;2查看分类表>
申请人	日东电工株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日东电工株式会社	当前权利人	日东电工株式会社
发明人	赖倩茜;郑世俊;大卫·T·西斯克;望月周
代理机构	北京东方亿思知识产权代理有限责任公司	代理人	肖善强

摘要

本发明涉及发光装置。所述发光装置包含：布置于阳极(2)和阴极(4)之间的发光层(20)；包含第一电荷传输材料并且布置于发光层和阳极之间的第一电荷传输层(8)；布置于第一电荷传输层和发光层之间、或者与第一电荷传输层和发光层接触的纳米结构材料(6)。

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