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金属栅极的制造方法及半导体器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910676283.4
  • IPC分类号:H01L21/28;H01L29/49
  • 申请日期:
    2019-07-25
  • 申请人:
    上海华力集成电路制造有限公司
著录项信息
专利名称金属栅极的制造方法及半导体器件
申请号CN201910676283.4申请日期2019-07-25
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-10-25公开/公告号CN110379710A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;9查看分类表>
申请人上海华力集成电路制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力集成电路制造有限公司当前权利人上海华力集成电路制造有限公司
发明人杨明仑
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人暂无
摘要
本发明涉及金属栅极的制造方法及一半导体器件,涉及半导体集成电路制造技术,在金属栅极的制造过程中,通过在对金属层进行平坦化工艺后,增加对金属层利用微波热处理进行热氧化工艺,以使在金属层的裸露表面上形成一层金属氧化层,该层金属氧化层不仅可阻止空气中的氧气进入金属电极的主体金属层而使主体金属层继续氧化,对应的具有金属氧化层厚度一致,金属电极的接触电阻一致,进而器件的一致性好的优点;且可阻止金属电极的主体金属层向上扩散的路径,对应的具有可增强栅极控制能力的优点。

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