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一种具有折叠型复合栅结构的IGBT芯片

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810148664.0
  • IPC分类号:H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06
  • 申请日期:
    2018-02-13
  • 申请人:
    株洲中车时代电气股份有限公司
著录项信息
专利名称一种具有折叠型复合栅结构的IGBT芯片
申请号CN201810148664.0申请日期2018-02-13
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2018-09-28公开/公告号CN108598160A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/739
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人株洲中车时代电气股份有限公司申请人地址
湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株洲中车时代半导体有限公司当前权利人株洲中车时代半导体有限公司
发明人刘国友;朱春林;朱利恒
代理机构北京聿宏知识产权代理有限公司代理人吴大建;陈伟
摘要
本发明公开了一种具有折叠型复合栅结构的IGBT芯片,包括若干复合栅单元,每一所述复合栅单元包括栅极区和位于所述栅极区两侧的有源区,其中,所述栅极区包括:在所述栅极区的指定位置向下刻蚀而成的至少一个沟槽,所述沟槽内设置有沟槽栅极;位于所述栅极区的表面上的平面栅极,所述平面栅极与沟槽栅极相连。所述有源区包括分别位于所述栅极区两侧的沟槽栅有源区和平面栅有源区,沟槽栅有源区和平面栅有源区均包括自下而上分布的N阱区、P阱区、P+掺杂区和N+掺杂扩散区。采用本发明可以大幅度提升IGBT芯片密度,并保留沟槽栅低通耗、高电流密度和平面栅宽安全工作区的特性。

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