一种锆掺杂有机薄膜晶体管及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201810789212.0
IPC分类号：H01L51/30;H01L51/05;H01L51/40
申请日期：
2018-07-18
申请人：
华南师范大学

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著录项信息

专利名称	一种锆掺杂有机薄膜晶体管及其制备方法
申请号	CN201810789212.0	申请日期	2018-07-18
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2019-01-18	公开/公告号	CN109244239A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/30 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备（由在一个公共衬底中或其上形成的多个组件组成的器件入H01L 27/28；使用有机材料的热电器件入H01L 35/00，H01L 37/00；使用有机材料的压电、电致伸缩或磁致伸缩元件入H01L 41/00）〔6，8〕 H01L51/05 专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器〔8〕 H01L51/30 材料的选择〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;3;0;;;H;0;1;L;5;1;/;0;5;;;H;0;1;L;5;1;/;4;0查看分类表>
申请人	华南师范大学	申请人地址	广东省广州市番禺区外环西路378号华南师范大学华南先进光电子研究院变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华南师范大学	当前权利人	华南师范大学
发明人	陆旭兵;唐乃维;麦嘉盈
代理机构	广州骏思知识产权代理有限公司	代理人	吴静芝

摘要

本发明提供一种锆掺杂有机薄膜晶体管及其制备方法，该锆掺杂有机薄膜晶体管包括衬底以及在衬底表面依次层叠的栅电极、镧锆氧化物介电薄膜、PαMS薄膜、并五苯有缘层和源漏电极。该制备方法首先在清洗干净的衬底上沉积底栅电极，然后将镧锆氧化物前驱体涂覆在栅电极上后进行热处理，制得镧锆氧化物介电薄膜，接着在介电薄膜上旋涂修饰层，最后制备有源层和源漏电极，即可得到锆掺杂有机薄膜晶体管。本发明的锆掺杂有机薄膜晶体管具有低工作电压和高迁移率，其制备方法条件温和、操作简单、制备成本低。

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