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带有基片水冷加热公转台的磁控溅射系统

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201120446641.1
  • IPC分类号:C23C14/35
  • 申请日期:
    2011-11-11
  • 申请人:
    中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司
著录项信息
专利名称带有基片水冷加热公转台的磁控溅射系统
申请号CN201120446641.1申请日期2011-11-11
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/35IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;3;5查看分类表>
申请人中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司申请人地址
辽宁省沈阳市浑南新区新源街一号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司当前权利人中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司
发明人冯彬;郭东民;佟辉;周景玉;刘丽华;张雪;戚晖
代理机构沈阳科苑专利商标代理有限公司代理人白振宇
摘要
本实用新型涉及镀膜设备,具体地说是一种带有基片水冷加热公转台的磁控溅射系统,磁控室安装在机台架上、与位于机台架内的真空抽气系统相连,在磁控室内均布有多个安装在磁控室的下法兰上的磁控靶;基片水冷加热公转台转动安装在磁控室的上盖上,基片水冷加热公转台的一端载有基片、插入磁控室内,另一端位于上盖的上方;上盖上安装有带动基片水冷加热公转台旋转的第一电机;磁控室内转动安装有电动基片挡板,其一端位于基片水冷加热公转台载有基片的一端与各磁控靶溅射端之间,另一端与安装在机台架内的第二电机相连,通过第二电机驱动旋转。本实用新型具有结构简单、控制方便、自动化程度高、可靠性好的优点。

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