核辐射探测器及其制作工艺

发明专利无效专利

申请号：
CN200410073283.9
IPC分类号：G01T1/29;G01T1/24
申请日期：
2004-11-11
申请人：
中国科学院近代物理研究所

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引证文献

著录项信息

专利名称	核辐射探测器及其制作工艺
申请号	CN200410073283.9	申请日期	2004-11-11
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-05-17	公开/公告号	CN1773309
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01T1/29 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01T 核辐射或X射线辐射的测量（材料的辐射分析，质谱测定法入G01N 23/00用以测定辐射或粒子的存在、强度、密度或能量的管入H01J 47/00） G01T1/00 X射线辐射、γ射线辐射、微粒子辐射或宇宙线辐射的测量（G01T 3/00，G01T 5/00优先）〔2〕 G01T1/29 对辐射束流的测量，例如，测量射束位置或截面；辐射的空间分布的测量〔2〕	IPC分类号	G;0;1;T;1;/;2;9;;;G;0;1;T;1;/;2;4查看分类表>
申请人	中国科学院近代物理研究所	申请人地址	甘肃省兰州市南昌路363号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院近代物理研究所	当前权利人	中国科学院近代物理研究所
发明人	谭继廉;靳根明;田大宇;宁宝俊;王小兵;王宏伟;段利敏;袁小华;李松林;卢子伟;马连荣;徐瑚珊
代理机构	兰州振华专利代理有限责任公司	代理人	张真

摘要

本发明主要涉及一种核辐射探测器，尤其涉及在高能物理和核物理中使用的位置灵敏探测器及其制作工艺。一种核辐射探测器，包括有硅基片，N型，其特征是探测窗口(1)是由相互平行的多个探测窗口(1)组成，有B+掺杂区(3)，形成PN结，其上有Al层(2)，并设有引线(7)；两探测窗口(1)之间设有绝缘SiO2分割区(4)；硅基片背面有P-掺杂区(5)，形成N+欧姆接触，其上复有Al层(6)，形成背电极。本发明的核辐射探测器具有优良的电特性和探测特性。在核物理实验中能同时测量核反应产物的能量和位置(角分布)信息，在得到非常好的位置分辨的同时得到相当好的能量分辨率。由于在工艺流程中严格控制和严格操作，采取特殊Cl离子处理，减少了SiO2层中的正电荷。并减少了SiO2-Si界面附近的表面态，使探测器的反向漏电流比其他工艺例如面垒工艺制备的探测器下降1～2个量级，达到nA量级。

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