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磁性存储器装置和用于制造其的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811398018.6
IPC分类号：H01L43/08;H01L43/02;H01L43/12
申请日期：
2018-11-22
申请人：
三星电子株式会社

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	磁性存储器装置和用于制造其的方法
申请号	CN201811398018.6	申请日期	2018-11-22
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-06-25	公开/公告号	CN109935682A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L43/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L43/00 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L43/08 磁场控制的电阻器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;3;/;0;8;;;H;0;1;L;4;3;/;0;2;;;H;0;1;L;4;3;/;1;2查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道水原市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	李成喆;吴世忠;尹相俊;金哉勋;南坰兑;卢恩仙
代理机构	北京铭硕知识产权代理有限公司	代理人	张晓;尹淑梅

摘要

提供了磁性存储器装置和用于制造其的方法，所述磁性存储器装置包括：基底；隧道势垒图案，位于基底上；第一磁性图案和第二磁性图案，彼此分隔开并且隧道势垒图案位于第一磁性图案和第二磁性图案之间；以及短路防止图案，与隧道势垒图案分隔开并且第二磁性图案位于短路防止图案和隧道势垒图案之间。短路防止图案包括交替堆叠的至少两个氧化物层和至少两个金属层。

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