一种过渡金属氧化物纳米线阵列的掺杂方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210256523.3
IPC分类号：C30B29/16;C30B29/62;C30B25/00
申请日期：
2012-07-24
申请人：
长春理工大学

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著录项信息

专利名称	一种过渡金属氧化物纳米线阵列的掺杂方法
申请号	CN201210256523.3	申请日期	2012-07-24
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-12-12	公开/公告号	CN102817077A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/16 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/16 氧化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;1;6;;;C;3;0;B;2;9;/;6;2;;;C;3;0;B;2;5;/;0;0查看分类表>
申请人	长春理工大学	申请人地址	吉林省长春市朝阳区卫星路7089号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长春理工大学	当前权利人	长春理工大学
发明人	魏志鹏;杜鸿延;方铉;方芳;李金华;楚学影;陈新影;王晓华;王菲
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明提出一种基于高温刻蚀方法对过渡金属氧化物纳米线阵列进行掺杂的技术。将过渡金属衬底和掺杂用的金属氯化物等重量地分别置于管式炉中，对真空管内腔进行处理，排出杂质气体。管式炉升温至500～700℃后通入掺5～15％O2的Ar气，在过渡金属衬底表面生成过渡金属氧化物层，金属氯化物与O2反应生成氯气和过渡金属氧化物，因过渡金属氧化物为气态，继续升温至刻蚀温度到900～980℃范围内，它会随着氯气透过过渡金属氧化物层向下扩散，形成掺杂的气态过渡金属氯化物，自组装形成近乎直立的纳米线阵列，有效实现过渡金属掺杂的目的，再被混合气体中的O2氧化成过渡金属氧化物，完成掺杂的过渡金属氧化物纳米线阵列的制备。

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