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一种电容耦合等离子体刻蚀设备

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811544972.1
  • IPC分类号:H01J37/02;H01J37/305;H01J37/32
  • 申请日期:
    2018-12-17
  • 申请人:
    中微半导体设备(上海)股份有限公司
著录项信息
专利名称一种电容耦合等离子体刻蚀设备
申请号CN201811544972.1申请日期2018-12-17
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-06-23公开/公告号CN111326382A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01J37/02IPC分类号H;0;1;J;3;7;/;0;2;;;H;0;1;J;3;7;/;3;0;5;;;H;0;1;J;3;7;/;3;2查看分类表>
申请人中微半导体设备(上海)股份有限公司申请人地址
上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中微半导体设备(上海)股份有限公司当前权利人中微半导体设备(上海)股份有限公司
发明人黄允文;倪图强;梁洁;赵金龙;吴磊
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人党丽;王宝筠
摘要
本发明提供一种电容耦合等离子体刻蚀设备,下电极固定于导电支撑杆的下端,在导电支撑杆的下端固定有可伸缩导电部,该可伸缩导电部沿导电支撑杆的轴向伸缩,同时,通过电连接部将可伸缩导电部的下端与射频匹配器输出端之间的电连接起来,这样,可以通过可伸缩导电部的伸缩来控制下电极的高度,从而,使得上下极板之间的间距可调。同时,在下电极的外侧,还设置有内导电环,该内导电环通过可伸缩导电部与腔体电连接,该内导电环下电极与腔体内的射频返回路径之间形成屏蔽,避免移动过程中下电极射频场引起射频回路的不稳定,从而实现极板间距的可调的同时,兼顾射频回路的稳定性。

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