一种二维过渡金属硫族化合物的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110386315.4
IPC分类号：C30B25/00;C30B29/46;C30B29/64;C23C16/30;C23C16/01;C23C16/56
申请日期：
2021-04-12
申请人：
东北师范大学

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著录项信息

专利名称	一种二维过渡金属硫族化合物的制备方法
申请号	CN202110386315.4	申请日期	2021-04-12
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-09	公开/公告号	CN113089088A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B25/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B25/00 反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;5;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;4;6;;;C;3;0;B;2;9;/;6;4;;;C;2;3;C;1;6;/;3;0;;;C;2;3;C;1;6;/;0;1;;;C;2;3;C;1;6;/;5;6查看分类表>
申请人	东北师范大学	申请人地址	吉林省长春市南关区人民大街5268号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东北师范大学	当前权利人	东北师范大学
发明人	辛星;陈佳美;张艳梅;刘为振;徐海阳
代理机构	长春市东师专利事务所	代理人	张铁生;刘莹

摘要

本发明公开了一种二维过渡金属硫族化合物的制备方法，它包括：1）二维过渡金属硫族化合物单晶及薄膜的制备：2）高分子聚合物保护层的涂覆；3）电化学鼓泡转移二维过渡金属硫族化合物单晶及薄膜；4）高分子聚合物保护层的去除；制备的硫族化合物薄膜厚度为0.7~1.0nm；化合物单晶层数为1~10层，整个材料成分均一、厚度可控；优点：1）本方法制备速度快；2）本方法可在常压下进行，具有操作方便、易于调控和易于大面积制备等特点；3）金基底得以反复利用，从而降低制备成本；4）制备的单晶及薄膜，具有高结晶质量，均匀层数，优异的可见光透过性及较高的光致发光特性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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