一种磁性存储器及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410306848.7
IPC分类号：G11C11/15;H01L43/12
申请日期：
2014-06-30
申请人：
华为技术有限公司;复旦大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种磁性存储器及其制造方法
申请号	CN201410306848.7	申请日期	2014-06-30
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-01-06	公开/公告号	CN105225689A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/15 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/02 应用磁性元件的 G11C11/14 应用薄膜元件的 G11C11/15 应用多层磁性层的（G11C 11/155优先）〔2〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;1;5;;;H;0;1;L;4;3;/;1;2查看分类表>
申请人	华为技术有限公司;复旦大学	申请人地址	广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华为技术有限公司,复旦大学	当前权利人	华为技术有限公司,复旦大学
发明人	傅雅蓉;张树杰;赵俊峰;杨伟;林殷茵;杨凯
代理机构	北京中博世达专利商标代理有限公司	代理人	申健

摘要

本发明实施例提供一种磁性存储器及其制造方法，涉及计算机领域，以解决现有技术中在一定的空间范围内只能存在一条磁性存储轨道的问题，提高了数据的存储密度。磁性存储器包括：至少一个绝缘层和至少两个磁性存储层，相邻两个磁性存储层之间设置有绝缘层；其中，磁性存储层内形成有至少一条第一U型磁性存储轨道和至少一条第二U型磁性存储轨道，至少一条第一U型磁性存储轨道和至少一条第二U型磁性存储轨道之间形成有电性绝缘层。本发明提供的磁性存储器用于数据的存储。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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