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电荷分享型像素结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210074454.4
  • IPC分类号:G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/133
  • 申请日期:
    2012-03-20
  • 申请人:
    深圳市华星光电技术有限公司
著录项信息
专利名称电荷分享型像素结构
申请号CN201210074454.4申请日期2012-03-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-07-18公开/公告号CN102591083A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02F1/1362IPC分类号G;0;2;F;1;/;1;3;6;2;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;8;;;G;0;2;F;1;/;1;3;4;3;;;G;0;2;F;1;/;1;3;3查看分类表>
申请人深圳市华星光电技术有限公司申请人地址
广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市华星光电技术有限公司当前权利人深圳市华星光电技术有限公司
发明人罗时勋;施明宏
代理机构深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)代理人欧阳启明
摘要
本发明公开一种电荷分享型像素结构,包括第一子像素与第二子像素,各包括一晶体管,第二子像素另包括一第三晶体管以及一顶栅电极;所述第三晶体管开启时,可使第一子像素的液晶电容通过与其他电容之间的电荷分享而改变原先的灰阶电压;所述顶栅电极根据一偏压信号而改变所述第三晶体管的临界电压,进而调整所述第一子像素的液晶电容的灰阶电压的改变程度。

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