防止闪存单元控制栅极空洞的工艺制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710079389.7
IPC分类号：H01L27/115;H01L21/77;H01L21/28
申请日期：
2017-02-14
申请人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司

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专利名称	防止闪存单元控制栅极空洞的工艺制造方法
申请号	CN201710079389.7	申请日期	2017-02-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-07-28	公开/公告号	CN106992177A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/115 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;;;H;0;1;L;2;1;/;7;7;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	徐涛;曹子贵;汤志林
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	屈蘅

摘要

一种防止闪存单元控制栅极空洞的工艺制造方法，包括：第一步骤：执行闪存制造工艺，直到执行完制栅极多晶硅刻蚀；第二步骤：湿法去除控制栅极氮化硅介质层；第三步骤：执行快速热氧化以形成覆盖控制栅极侧墙的保护氧化膜，其中所述保护氧化膜用于防止所述重掺杂控制栅极多晶硅中的磷在空气中形成磷酸对控制栅的腐蚀；第四步骤：执行预清洗处理，以去除所述的热氧化膜以及有关颗粒；第五步骤：执行高温氧化层和氮化层沉积和蚀刻处理以形成外部栅极侧墙。本发明在氮化硅湿法剥离工艺之后执行快速热氧化以形成覆盖控制栅极侧墙的氧化膜；该氧化膜可以防止磷在空气中形成磷酸，从而避免引起控制栅极多晶硅腐蚀，从而最终避免形成控制栅极空洞。

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